美光科技公司刘鸿威获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利垂直晶体管，集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111090814.5，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权垂直晶体管，集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法是由刘鸿威;V·N·安东诺夫;A·A·恰范;D·F·范;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔;M·R·拉斯卡尔;A·廖;X-F·林;M·纳哈尔;I·V·瓦西里耶沃设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直晶体管，集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法在说明书摘要公布了：本申请案的实施例涉及一种垂直晶体管、集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法。一种形成垂直晶体管的方法，所述垂直晶体管包括顶部源极漏极区、底部源极漏极区、垂直地位于所述顶部与底部源极漏极区之间的沟道区，以及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极，所述方法包括在多个时间间隔的微波退火步骤中，使至少所述沟道区微波退火。所述多个时间间隔的微波退火步骤使所述沟道区中的元素形式H的平均浓度从其在所述多个时间间隔的微波退火步骤开始之前的情况降低。元素形式H的所述降低的平均浓度为0.005到小于1原子百分比。本发明揭示结构实施例。
本发明授权垂直晶体管，集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直晶体管，其包括： 顶部源极漏极区、底部源极漏极区、垂直地位于所述顶部与底部源极漏极区之间的沟道区，及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极；及 所述沟道区具有0.005到小于1原子百分比的元素形式H的平均浓度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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