昆山丘钛微电子科技股份有限公司申文璐获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山丘钛微电子科技股份有限公司申请的专利一种芯片化学开封方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111502989.2，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种芯片化学开封方法是由申文璐设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片化学开封方法在说明书摘要公布了：一种芯片化学开封方法，方法包括：得到待开封芯片，所述待开封芯片包括芯片本体和附着于所述芯片本体的底部填充胶层；将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，用以软化所述底部填充胶层；将软化后的所述底部填充胶层进行剔除，得到所述芯片本体；将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，用以去除所述封装层；对所述封装层进行清洗，完成开封。本申请提供的芯片化学开封方法，通过使用化学试剂的方法开封芯片，易于将底部填充胶层清除干净，且不会损伤芯片的IC层。
本发明授权一种芯片化学开封方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片化学开封方法，其特征在于，所述方法包括： S1:得到待开封芯片，所述待开封芯片包括芯片本体和附着于所述芯片本体的底部填充胶层； S2:将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，用以软化所述底部填充胶层； S3:将软化后的所述底部填充胶层进行剔除，得到所述芯片本体； S4:将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，用以去除所述封装层； S5:对所述封装层进行清洗，完成开封； 所述将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，包括： 将所述底部填充胶层浸泡所述第一溶胀剂； 保持所述第一溶胀剂在所述底部填充胶层上达第一预设时间； 第一溶胀剂为丙酮，第一预设时间为20min-40min； 所述将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，包括： 将所述第二溶胀剂滴加在所述封装层上； 保持所述第二溶胀剂在所述封装层上达第二预设时间； 第二溶胀剂为硝酸、稀硫酸和盐酸中的至少一种，第二预设时间为20min-40min； 丙酮可以软化底部填充胶层，但不会软化封装层，且不会与底部填充胶层和封装层反应。
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