长江存储科技有限责任公司孙璐获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111321700.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维存储器的制作方法是由孙璐;杨永刚设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器的制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种三维存储器的制作方法，包括：在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构；形成覆盖核心区和台阶区的第一介质层；对覆盖核心区的第一介质层进行第一蚀刻，以暴露核心区的至少部分区域；形成覆盖剩余的第一介质层以及核心区暴露区域的第二介质层；其中，覆盖台阶区的第二介质层的表面与衬底之间的距离，大于核心区的表面与衬底之间的距离；对覆盖核心区的第二介质层进行第二蚀刻，以暴露核心区的至少部分区域；在第二蚀刻之后，对台阶区和核心区进行平坦化处理，以使台阶区表面与核心区表面平齐。
本发明授权三维存储器的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构； 形成覆盖所述核心区和所述台阶区的第一介质层；所述第一介质层的部分表面与所述衬底之间的距离，小于所述核心区的表面与所述衬底之间的距离； 对覆盖所述核心区的所述第一介质层进行第一蚀刻，以暴露所述核心区的至少部分区域； 形成覆盖剩余的所述第一介质层以及所述核心区暴露区域的第二介质层，包括：形成覆盖剩余的所述第一介质层以及所述核心区的暴露区域的第三子层；形成覆盖所述第三子层的第四子层；所述第三子层的台阶覆盖率，大于所述第四子层的台阶覆盖率；其中，覆盖所述台阶区的所述第二介质层的表面与所述衬底之间的距离，大于所述核心区的表面与所述衬底之间的距离； 对覆盖所述核心区的所述第二介质层进行第二蚀刻，以暴露所述核心区的至少部分区域； 在所述第二蚀刻之后，对所述台阶区和所述核心区进行平坦化处理，以使所述台阶区表面与所述核心区表面平齐。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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