中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010937377.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的形成方法是由王楠设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有若干分立排布的初始鳍部；在所述衬底上形成隔离结构；在所述初始鳍部的侧壁上以及相邻的所述初始鳍部之间形成连接层；在所述衬底上形成横跨所述初始鳍部以及所述连接层的伪栅极结构，所述伪栅极结构覆盖所述连接层的侧壁以及所述初始鳍部的部分顶部表面；在所述伪栅极结构两侧的所述初始鳍部内形成凹槽，在所述凹槽内形成源漏掺杂层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构和所述源漏掺杂层，所述介质层的顶部表面与所述伪栅极结构的顶部表面齐平；去除所述伪栅极结构，形成栅极结构；本发明有助于提高最终形成的半导体器件的质量。
本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有若干分立排布的初始鳍部； 在所述衬底上形成隔离结构； 在所述初始鳍部的侧壁上以及相邻的所述初始鳍部之间形成连接层； 在所述衬底上形成横跨所述初始鳍部以及所述连接层的伪栅极结构，所述伪栅极结构覆盖所述连接层的侧壁以及所述初始鳍部的部分顶部表面，相邻所述初始鳍部之间没有形成所述伪栅极结构； 在所述伪栅极结构两侧的所述初始鳍部内形成凹槽，在所述凹槽内形成源漏掺杂层； 在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构的侧壁和所述源漏掺杂层，所述介质层的顶部表面与所述伪栅极结构的顶部表面齐平； 去除所述伪栅极结构以及所述伪栅极结构覆盖的所述连接层，形成栅极结构。
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