中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵炳贵获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010925646.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵炳贵设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于栅极结构两侧且覆盖源漏掺杂层的层间介质层，覆盖栅极结构和层间介质层的第一介电层，贯穿第一介电层和层间介质层的第一插塞和第二插塞，第一插塞与源漏掺杂层连接，第二插塞与栅极结构连接，第一介电层的顶面高于第一插塞和第二插塞的顶面；形成金属互连保护层，金属互连保护层覆盖第一介电层的侧壁；在第一介电层上形成第二介电层，第二介电层开设有露出第一插塞的第一通孔以及露出第二插塞的第二通孔。所述方法提高了半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层，覆盖所述栅极结构和所述层间介质层的第一介电层，贯穿所述第一介电层和层间介质层的第一插塞和第二插塞，所述第一插塞与所述源漏掺杂层连接，所述第二插塞与所述栅极结构连接，所述第一介电层的顶面高于所述第一插塞和所述第二插塞的顶面； 形成金属互连保护层，所述金属互连保护层覆盖位于所述第一插塞和第二插塞的顶面上方的所述第一介电层的侧壁； 在所述第一介电层上形成第二介电层，所述第二介电层开设有露出所述第一插塞的第一通孔以及露出所述第二插塞的第二通孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励