上海华力微电子有限公司刘天舒获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种SADP光刻返工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111436116.6，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种SADP光刻返工方法是由刘天舒;王奇伟;姚邵康设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SADP光刻返工方法在说明书摘要公布了：一种SADP光刻返工方法，包括：提供硅基衬底，并在硅基衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构之异于硅基衬底的一侧形成核心层结构，并淀积形成核心层侧墙结构，且去除核心层结构，获得第一图案；以核心层侧墙结构为第一掩膜板，在有源区刻蚀形成字线和选择管；提供第二掩膜板，对外围区进行显影、刻蚀，获得第二图案；进行返工时，仅清除光刻胶层，而保留设置在核心层侧墙结构之间的有机电介质层；进行SADP光刻返工，重新进行光刻胶涂覆、显影和曝光。本发明避免了对核心层侧墙结构造成影响，进而可以保证获得尺寸均一的字线形貌，提高产品良率。
本发明授权一种SADP光刻返工方法在权利要求书中公布了：1.一种SADP光刻返工方法，其特征在于，所述SADP光刻返工方法，包括： 执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上形成栅极堆叠结构； 执行步骤S2：在所述栅极堆叠结构之异于硅基衬底的一侧形成核心层结构，并淀积形成核心层侧墙结构，且去除所述核心层结构，获得第一图案； 执行步骤S3：以所述核心层侧墙结构为第一掩膜板，在有源区刻蚀形成字线和选择管； 执行步骤S4：提供第二掩膜板，对所述硅基衬底之异于所述有源区的外围区进行显影、刻蚀，获得第二图案； 执行步骤S5：当硅基衬底上的光刻胶图案不符合要求需进行返工时，仅清除设置在所述核心层侧墙结构及所述字线和选择管上的光刻胶层，而保留设置在所述核心层侧墙结构之间的有机电介质层； 执行步骤S6：进行SADP光刻返工，重新进行光刻胶涂覆、显影和曝光。
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