昆山龙腾光电股份有限公司张志奇获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山龙腾光电股份有限公司申请的专利薄膜晶体管阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111383065.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权薄膜晶体管阵列基板及其制作方法是由张志奇;孙明剑设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，该薄膜晶体管阵列基板包括依次形成在衬底基板上的包括漏极的薄膜晶体管、第一钝化层、平坦化层，并对平坦化层对应漏极的位置开设接触孔，暴露出第一钝化层的部分表面，再在平坦化层上形成相互间隔设置的公共电极和保护层，保护层至少覆盖接触孔的侧壁，且暴露出接触孔底部的第一钝化层的部分表面。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法中，由于平坦化层暴露的部分表面被保护层所覆盖，因此在对第二钝化层进行蚀刻时，被保护层覆盖的平坦化层部分不会受到损伤，以避免在接触孔底部产生反应沉积物，从而保证像素电极与漏极之间的连接良好。
本发明授权薄膜晶体管阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板11； 形成在所述衬底基板11上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括漏极162； 形成在所述薄膜晶体管上的第一钝化层17； 形成在所述第一钝化层17上的平坦化层18； 形成在所述平坦化层18上的接触孔50； 形成在所述平坦化层18上的公共电极191和保护层192，所述公共电极191和所述保护层192间隔设置且不互相接触，所述保护层192至少覆盖所述接触孔50的侧壁，且暴露出所述接触孔50底部的所述第一钝化层17的部分表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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