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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111283313.9，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器是由刘佳裔;高庭庭;孙昌志;杜小龙;刘小欣;夏志良设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法、三维存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，以降低RC延迟，减小功耗。该半导体结构包括衬底，存储堆叠层设置于衬底上，存储堆叠层包括交替设置的多层第一栅导电层和多层电介质层；多层第一栅导电层依次包括至少一层字线层和至少一层顶部选择栅，第一沟道孔贯穿至少一层顶部选择栅，第二栅导电层设置于第一沟道孔内，第一沟道结构设置于第一沟道孔内，第一沟道结构包括覆盖第一沟道孔的侧壁的第二栅导电层、覆盖第二栅导电层的栅介质层和覆盖栅介质层的第一沟道层，第二栅导电层与顶部选择栅连接。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

本发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 设置于所述衬底上的存储堆叠层，所述存储堆叠层包括交替设置的多层第一栅导电层和多层电介质层；沿所述衬底的厚度方向且远离所述衬底，所述多层第一栅导电层依次包括至少一层字线层和至少一层顶部选择栅；所述存储堆叠层具有贯穿所述至少一层顶部选择栅的第一沟道孔和贯穿所述至少一层字线层的第二沟道孔，所述第二沟道孔与所述第一沟道孔连通； 设置于所述第一沟道孔内的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括第二栅导电层、栅介质层和第一沟道层，所述第二栅导电层覆盖所述第一沟道孔的侧壁，且与所述至少一层顶部选择栅连接；所述栅介质层设置于所述第二栅导电层背离所述第一沟道孔的侧壁的一侧，所述第一沟道层设置于所述栅介质层背离所述第二栅导电层的一侧；以及， 设置于所述第二沟道孔内的第二沟道结构，所述第二沟道结构包括依次设置的存储功能层和第二沟道层，所述第二沟道层与所述第一沟道层电连接； 所述第二沟道结构还包括： 设置于所述存储功能层远离所述衬底的一侧的绝缘垫，所述存储功能层在所述衬底上的正投影，以及所述第二栅导电层在所述衬底上的正投影，均位于所述绝缘垫在所述衬底上的正投影内，且分别与所述绝缘垫接触；所述第二沟道层覆盖所述绝缘垫和所述存储功能层的侧壁。

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