美光科技公司D·比林斯利获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110993203.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法是由D·比林斯利;J·D·格林利;J·D·霍普金斯;Y·J·胡;S·伦加德设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法。一种用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法包括在下堆叠的正上方形成上堆叠。所述下堆叠包括竖直交替的下第一层面和下第二层面。所述上堆叠包括竖直交替的上第一层面和上第二层面。下沟道开口延伸穿过所述下第一层面和所述下第二层面。所述下沟道开口在其中具有牺牲材料。所述下第二层面的上部或所述上第二层面的下部包括硅氧原子比大于0.5的非化学计量二氧化硅。在所述下部的上第二层面上方的所述上第二层面的较高部包括硅氧原子比小于或等于0.5的二氧化硅。
本发明授权包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法，其包括： 在下堆叠正上方形成上堆叠，所述下堆叠包括竖直交替的下第一层面和下第二层面，所述上堆叠包括竖直交替的上第一层面和上第二层面，下沟道开口延伸穿过所述下第一层面和所述下第二层面，所述下沟道开口中具有牺牲材料； 所述下第二层面的上部或所述上第二层面的下部包括硅氧原子比大于0.5的非化学计量二氧化硅，所述下部上第二层面上方的所述上第二层面的较高部包括硅氧原子比小于或等于0.5的二氧化硅； 穿过所述上第一层面和所述上第二层面蚀刻上沟道开口，以停止在所述上部下第二层面或所述下部上第二层面上；及 在所述停止之后，从所述下沟道开口移除所述牺牲材料，并且在所述上沟道开口和所述下沟道开口中形成沟道材料串。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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