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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利三维(3D)垂直存储器中的金属绝缘体半导体(MIS)接触获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110676085.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维(3D)垂直存储器中的金属绝缘体半导体(MIS)接触是由K·M·考尔道;D·C·潘迪;杨立涛;S·普卢居尔塔;高云飞;刘海涛设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维(3D)垂直存储器中的金属绝缘体半导体(MIS)接触在说明书摘要公布了：本申请案涉及三维3D垂直存储器中的金属绝缘体半导体MIS接触。提供用于垂直堆叠存储器单元阵列的系统、方法及设备，所述垂直堆叠存储器单元阵列具有水平定向存取器装置，其具有通过沟道区域分开的第一源极漏极区域及第二源极漏极区域，以及与所述沟道区域相对的栅极；垂直定向存取线，其耦合到所述栅极并通过栅极电介质与沟道区域分开。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极漏极区域的水平定向存储节点及耦合到所述第一源极漏极区域的水平定向数字线。在一个实例中，绝缘体材料形成在所述第一源极漏极区域的表面上，且导体材料形成在所述绝缘体材料上，以在所述水平定向数字线与所述水平定向存取装置的所述第一源极漏极区域之间形成金属绝缘体半导体MIS界面。

本发明授权三维(3D)垂直存储器中的金属绝缘体半导体(MIS)接触在权利要求书中公布了：1.一种用于形成具有水平定向存取装置及垂直定向存取线的垂直堆叠存储器单元阵列的方法，所述方法包括： 垂直地以重复迭代方式沉积多层第一介电材料430、530、630、730、830、930、半导体材料432、532、632、732、832、932及第二介电材料433、533、633、733、833、933以形成垂直堆叠401，其中所述半导体材料432、532、632、732、832、932包含经低掺杂半导体材料，在其内形成通过沟道区域225、325水平分开的第一源极漏极区域321、475、775、875、975及第二源极漏极区域323、478、778； 使用第一蚀刻工艺形成垂直开口471、513517、613617以暴露所述垂直堆叠401中的垂直侧壁； 选择性地蚀刻所述第二介电材料433、533、633、733、833、933以形成第一水平开口473； 将绝缘体材料487、587、687、787、887、987沉积在所述第一水平开口473中的所述第一源极漏极区域321、475、775、875、975上面的表面上； 将第一导体材料489、589、789、889沉积在所述第一水平开口473中的所述绝缘体材料487、587、687、787、887、987的表面上，以与所述第一源极漏极区域321、475、775、875、975形成水平定向数字线接触，其中所述第一导体材料489、589、789、889、绝缘体材料487、587、687、787、887、987及第一源极漏极区域321、475、775、875、975构成金属绝缘体半导体MIS界面； 将第二导体材料477、777、877沉积在所述第一导体材料489、589、789、889上，以在所述第一水平开口473中形成数字线。

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