铠侠股份有限公司堀内三成获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110086521.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体装置及其制造方法是由堀内三成设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1衬底；第1绝缘膜，设置在所述第1衬底上；以及第1插塞，设置在所述第1绝缘膜内。所述装置还具备：第1层，设置在所述第1绝缘膜上；以及第1金属层，在所述第1层内设置在所述第1插塞上，且电连接于所述第1插塞。所述装置还具备第2金属层，所述第2金属层包含设置在所述第1层内的第1部分、及设置在所述第1层上的第2部分，且电连接于所述第1金属层。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：第1衬底；第1绝缘膜，设置在所述第1衬底上；第1插塞，设置在所述第1绝缘膜内；第1层，设置在所述第1绝缘膜上，且包含半导体层；第1金属层，在所述第1层内设置在所述第1插塞上，且电连接于所述第1插塞；以及第2金属层，包含设置在所述第1层内的第1部分、及设置在所述第1层上的第2部分，且电连接于所述第1金属层。
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