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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利衬底的预处理方法及半导体外延层的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111427470.2，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权衬底的预处理方法及半导体外延层的生长方法是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本衬底的预处理方法及半导体外延层的生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种衬底的预处理方法及半导体外延层的生长方法。所述预处理方法包括：在保护性气氛下，将III族金属有机源涂覆于衬底上，得到III族金属有机源涂覆层；之后将其置于MOCVD反应腔室中，通入III族金属有机源，在还原性气体氛围下对其进行热处理；降温后再通入氮源进行氮化处理，获得单原子层级的平整度的衬底表面。本发明还公开了在该单原子层级的平整度的衬底表面依次生长缓冲层、半导体外延层的方法。本发明通过涂覆III族金属有机源涂覆层处理衬底表面结合热处理和氮化处理，获得单原子层级的平整度的衬底表面，还可以为缓冲层的生长提供成核中心，从而提高生长的半导体外延层表面的平整度。

本发明授权衬底的预处理方法及半导体外延层的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底的预处理方法，其特征在于，包括： 在N2气氛中，采用旋涂法，以400~4000rpm的转速将III族金属有机源旋涂在衬底上，旋涂时间为15~150s，在衬底上形成厚度为20nm~2000nm的III族金属有机源涂覆层； 之后将具有III族金属有机源涂覆层的衬底置于MOCVD反应腔室中，通入III族金属有机源，在还原性气体氛围下升温至900~1200℃，对所述具有III族金属有机源涂覆层的衬底进行热处理5~60s； 持续通入III族金属有机源，并降温至450~750℃，稳定保持15~45s，以对所述衬底表面缺陷进行屏蔽； 再通入氮源进行氮化处理60~150s，以为后续生长的缓冲层提供成核中心，获得单原子层级的平整度的衬底表面； 其中，所述III族金属有机源包括III族有机化合物源，所述III族有机化合物源包括铟源、镓源、铝源中的任意一种或两种以上的组合；所述氮源包括NH3和或有机氮源，所述有机氮源包括叔丁基胺、正丙胺、二甲基阱中的任意一种或两种以上的组合。

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