江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利高质量III-V族化合物衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111427468.5，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权高质量III-V族化合物衬底及其制备方法是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本高质量III-V族化合物衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高质量III‑V族化合物衬底及其制备方法，所述制备方法包括：将包含均匀分散纳米材料的金属有机源混合前驱体涂覆于衬底上，得到金属有机源混合前驱体涂覆层，之后进行退火重结晶，在衬底上形成均匀分布的纳米材料和III‑V族化合物纳米生长结构，然后生长III‑V族化合物模板层；在模板层上生长III‑V族化合物厚膜层，制得III‑V族化合物衬底。本发明通过旋涂金属有机源混合前驱体涂覆层，不仅可以作为缓冲层降低模板层位错密度和残余应力，还可在退火重结晶过程中形成两种晶核结构分布，应力逐步释放，同时加强模板层侧向外延生长，降低缺陷密度，抑制模板层位错密度延伸，提高III‑V族化合物晶体质量。
本发明授权高质量III-V族化合物衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高质量III-V族化合物衬底的制备方法，其特征在于，包括： 将纳米材料与III族金属有机源均匀混合，并于5～40℃超声处理10～60min，得到包含均匀分散纳米材料的III族金属有机源混合前驱体； 将所述III族金属有机源混合前驱体涂覆于衬底上，得到III族金属有机源混合前驱体涂覆层，之后将具有III族金属有机源混合前驱体涂覆层的衬底置于MOCVD反应腔室中，通入III族金属有机源，使所述反应腔室升温至500～1200℃，在V族元素源和还原性气体的混合气氛中进行退火重结晶，从而形成均匀分布的纳米材料和III-V族化合物纳米生长结构，继续生长III-V族化合物，得到III-V族化合物模板层； 在所述III-V族化合物模板层上生长形成III-V族化合物厚膜层，制得高质量III-V族化合物衬底。
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