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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利用于通过高K金属栅极(HKMG)膜堆叠的选择性沉积来进行阈值电压调谐的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114097074B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080050477.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于通过高K金属栅极(HKMG)膜堆叠的选择性沉积来进行阈值电压调谐的方法是由杰弗里·史密斯;坎达巴拉·塔皮利;拉尔斯·利布曼;丹尼尔·沙内穆加梅;马克·I·加德纳;H·吉姆·富尔福德;安东·J·德维利耶设计研发完成，并于2020-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于通过高K金属栅极(HKMG)膜堆叠的选择性沉积来进行阈值电压调谐的方法在说明书摘要公布了：一种用于微制造具有环绕式栅极场效应晶体管器件的三维晶体管堆叠的方法。沟道悬挂在源极区漏极区之间。每个沟道选择性地沉积有被设计成用于调整沟道的阈值电压的材料层。这些层可以是氧化物、高k材料、功函数材料和金属化部。三维晶体管堆叠在单个封装中形成高阈值电压器件和低阈值电压器件的阵列。

本发明授权用于通过高K金属栅极(HKMG)膜堆叠的选择性沉积来进行阈值电压调谐的方法在权利要求书中公布了：1.一种微制造的方法，所述方法包括： 接收具有用于环绕式栅极场效应晶体管器件的沟道的衬底，所述沟道包括彼此相邻地定位的沟道的竖直堆叠，在沟道的所述竖直堆叠中，各个沟道在源极区漏极区之间水平地延伸，其中，对于沟道的每个竖直堆叠，至少一个沟道被定位在第二沟道上方，所述沟道包括至少四种指定的沟道类型，包括高电压PMOS沟道、高电压NMOS沟道、低电压PMOS沟道和低电压NMOS沟道； 在包括高电压PMOS沟道、高电压NMOS沟道、低电压PMOS沟道和低电压NMOS沟道的未覆盖沟道周围选择性地沉积第一高k电介质； 在所述高电压PMOS沟道和所述低电压PMOS沟道被覆盖时，在每个高电压NMOS沟道和每个低电压NMOS沟道上选择性地沉积第一功函数金属； 在所述高电压NMOS沟道和所述低电压NMOS沟道被覆盖时，在每个高电压PMOS沟道和每个低电压PMOS沟道上选择性地沉积第二功函数金属； 在所述低电压PMOS沟道和所述低电压NMOS沟道被覆盖时，在每个高电压PMOS沟道和每个高电压NMOS沟道上选择性地沉积第三功函数金属；以及 在沉积所述第一功函数金属、所述第二功函数金属和所述第三功函数金属之后，在所述高电压PMOS沟道、所述高电压NMOS沟道、所述低电压PMOS沟道和所述低电压NMOS沟道上沉积导电金属材料。

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