长江存储科技有限责任公司李明亮获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体封装结构及制备方法、待封装芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111310201.8，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权半导体封装结构及制备方法、待封装芯片的制备方法是由李明亮;陈鹏;莫平设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及制备方法、待封装芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了半导体封装结构及制备方法，用于半导体封装结构的待封装芯片的制备方法。半导体封装结构包括：封装基板、多层芯片堆积结构和模制化合物层，多层芯片堆积结构附接至封装基板，并包括依次堆积的多个芯片，模制化合物层形成在封装基板的表面上，并包封多层芯片堆积结构。芯片包括：半导体基底、电路层和加固降翘膜，半导体基底包括相对的第一表面和第二表面，电路层形成在第一表面上，加固降翘膜覆盖第二表面。本申请提供的半导体封装结构及其芯片结构通过改变芯片中局部机械应力的释放方向、增加芯片的机械强度，可有效避免芯片破损或翘曲的风险及封装器件失效的问题。
本发明授权半导体封装结构及制备方法、待封装芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，包括： 封装基板； 多层芯片堆积结构，附接至所述封装基板，并包括依次堆积的多个芯片；以及 模制化合物层，形成在所述封装基板的表面上，并包封所述多层芯片堆积结构， 其特征在于，所述芯片包括： 半导体基底，包括相对的第一表面、第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的基底侧面； 电路层，形成在所述第一表面上；以及 加固降翘膜，覆盖所述第二表面、所述基底侧面和所述电路层的侧面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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