福建省晋华集成电路有限公司方晓培获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111355674.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储装置及其形成方法是由方晓培;刘安淇;林刚毅设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体存储装置及其形成方法。半导体存储装置包括衬底、多条位线、位线触点、多个插塞、多个存储节点焊盘以及间隙壁。位线以及插塞设置于所衬底上，并且位线以及插塞相互交替且分隔地设置。位线触点，伸入衬底内并直接接触下方的衬底，并且位线触点与位线的半导体层一体成形。存储节点焊盘设置于插塞以及位线上方并直接接触插塞。隔离侧壁设置于存储节点焊盘的侧壁上，并直接接触插塞的顶面。由此，可避免存储节点焊盘之间不适当的电性连接所造成的短路，进而可提升元件效能。
本发明授权半导体存储装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括： 衬底； 多条位线，设置于所述衬底上； 位线触点，伸入所述衬底内并直接接触下方的所述衬底，其中，所述位线触点与所述位线的半导体层一体成形； 多个插塞，设置于所述衬底上并与所述位线交替且分隔地设置； 位于所述插塞和所述位线之间的间隙壁结构； 多个存储节点焊盘，设置于所述插塞以及所述位线上方并直接接触所述插塞；以及 隔离侧壁，设置于所述存储节点焊盘的侧壁上，所述隔离侧壁包括材质不同的上半部以及下半部；并且所述上半部以及下半部依序堆叠于所述间隙壁结构上。
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