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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利MEMS谐振器驱动电路及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114039564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111230282.0，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权MEMS谐振器驱动电路及电子设备是由陈华;刘谋;田易;孟真;阎跃鹏设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS谐振器驱动电路及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS谐振器驱动电路及电子设备，涉及MEMS谐振器技术领域。该MEMS谐振器驱动电路包括：第一电压源VCC_H、第二电压源VCC_L、共栅放大器、恒流源、输入端口Iin和偏置电路，该偏置电路包括第一隔直电容C1、第一偏置电阻R3和第二偏置电阻R4，第一隔直电容C1的输入端与共栅放大器的输出端电连接，第一偏置电阻R3的一端与第二电压源VCC_L电连接，第一偏置电阻R3的另一端与第一隔直电容C1的输出端和第二偏置电阻R4的一端电连接，第二偏置电阻R4的另一端接地。

本发明授权MEMS谐振器驱动电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MEMS谐振器驱动电路，其特征在于，包括第一电压源VCC_H、第二电压源VCC_L、共栅放大器、恒流源、输入端口Iin和偏置电路，其中： 所述共栅放大器包括第一NMOS管M1和第一负载电阻R1，所述第一负载电阻R1的一端与所述第一电压源VCC_H电连接，所述第一负载电阻R1的另一端与所述第一NMOS管M1的漏极电连接，所述第一NMOS管M1的漏极和所述第一负载电阻R1靠近所述第一NMOS管M1的一端共同构成所述共栅放大器的输出端； 所述恒流源与第一NMOS管M1的源极电连接，用于为所述共栅放大器提供偏置电流； 所述输入端口Iin与第一NMOS管M1的源极电连接，用于接收MEMS谐振器的电流信号； 所述偏置电路包括第一隔直电容C1、第一偏置电阻R3和第二偏置电阻R4，所述第一隔直电容C1的输入端与所述共栅放大器的输出端电连接，所述第一偏置电阻R3的一端与所述第二电压源VCC_L电连接，所述第一偏置电阻R3的另一端与所述第一隔直电容C1的输出端和所述第二偏置电阻R4的一端电连接，所述第二偏置电阻R4的另一端接地。

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