加尔瓦尼生物电子有限公司C·敖获国家专利权
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龙图腾网获悉加尔瓦尼生物电子有限公司申请的专利减少电极上的溢料的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114025830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080034857.9,技术领域涉及:A61N1/05;该发明授权减少电极上的溢料的方法是由C·敖设计研发完成,并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本减少电极上的溢料的方法在说明书摘要公布了:用于制造电极组装件20的方法包括步骤:将电极24施加在第一材料层22上;将引线23激光焊接到电极;在电极和引线上施加胶粘剂回填料26;和在胶粘剂回填料和一部分第一层上施加第二材料层28以阻止电极与第二层之间的泄漏路径。
本发明授权减少电极上的溢料的方法在权利要求书中公布了:1.用于制造用于神经调制的可植入电极组装件20的方法,其包括: 形成第一材料层22,其包括在其中形成的孔23; 将电极24安置在第一材料层中的孔中; 将电引线30连接到电极; 在电极、电引线连接和一部分第一层上施加足以密封电极和孔之间的任何间隙的回填材料26;和 在所述回填材料上施加第二材料层28, 其中所述回填材料包含胶粘剂硅酮,和或所述回填材料填充电极与可以覆盖电极的一部分暴露表面的第二材料层之间的任何泄漏路径。
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