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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023749B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111197644.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器是由韩玉辉;杨涛;刘佳裔;周文犀设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法、三维存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决3DNAND中台阶结构和栅线隔槽形成难度较高的问题。半导体结构包括衬底、第一层叠结构、第二层叠结构、第一导电柱和第二导电柱。第二层叠结构至少包括依次设置的虚拟栅线层、第二绝缘层、选择栅线层和第三绝缘层；虚拟栅线层和选择栅线层的边缘延伸至过渡区；第一导电柱穿过位于第三绝缘层，与选择栅线层电连接；第二导电柱穿过第三绝缘层、选择栅线层和第二绝缘层，与虚拟栅线层电连接。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

本发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 设置于所述衬底上的第一层叠结构，所述第一层叠结构包括交替设置的多个第一绝缘层和多个栅线层； 设置于所述第一层叠结构远离所述衬底一侧的第二层叠结构，所述第二层叠结构至少包括依次设置的虚拟栅线层、第二绝缘层、选择栅线层和第三绝缘层；沿平行于所述衬底的第一方向，所述半导体结构包括依次排列的阵列区、过渡区和台阶区，所述虚拟栅线层和所述选择栅线层的边缘延伸至所述过渡区； 设置于所述过渡区的第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱穿过所述第三绝缘层，与所述选择栅线层电连接；所述第二导电柱穿过所述第三绝缘层、所述选择栅线层和所述第二绝缘层，与所述虚拟栅线层电连接； 多个沿所述第一方向延伸的第一栅线隔离图案，所述第一栅线隔离图案贯穿所述第二层叠结构，以将所述虚拟栅线层分割成多条虚拟栅线，将所述选择栅线层分割成多条选择栅线； 多个沿所述第一方向延伸的第二栅线隔离图案，所述第二栅线隔离图案贯穿所述第一层叠结构，以将所述栅线层分割成多条栅线； 其中，一个所述第一栅线隔离图案和一个所述第二栅线隔离图案在第三方向上排布，所述第三方向垂直于所述衬底。

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