同济大学蔡克峰获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种制备高性能聚吡咯/硒化银/尼龙柔性复合热电薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005927B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111231790.0，技术领域涉及：H10N10/856；该发明授权一种制备高性能聚吡咯/硒化银/尼龙柔性复合热电薄膜的方法是由蔡克峰;李雅婷设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备高性能聚吡咯/硒化银/尼龙柔性复合热电薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制备高性能聚吡咯硒化银尼龙柔性复合热电薄膜的方法，包括以下步骤：1先以硒纳米线为模板，在乙二醇溶剂中与硝酸银反应得到硒化银纳米结构，接着继续加入吡咯单体，超声，随后加入过硫酸铵，室温搅拌，在硒化银纳米结构上原位聚合，合成聚吡咯硒化银纳米结构；2取聚吡咯硒化银纳米结构分散于无水乙醇中，抽滤，真空干燥，即得到聚吡咯硒化银尼龙复合薄膜。通过本发明的方法可以制备高性能的柔性热电薄膜，并以此薄膜制作高输出性能热电器件，为穿戴式电子器件供电。
本发明授权一种制备高性能聚吡咯/硒化银/尼龙柔性复合热电薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备高性能聚吡咯硒化银尼龙柔性复合热电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1先以硒纳米线为模板，在乙二醇溶剂中与硝酸银反应得到硒化银纳米结构，接着继续加入吡咯单体，超声，随后加入过硫酸铵，室温搅拌，在硒化银纳米结构上原位聚合，合成聚吡咯硒化银纳米结构； 2取聚吡咯硒化银纳米结构分散于无水乙醇中，抽滤，真空干燥，即得到聚吡咯硒化银尼龙复合薄膜； 硒纳米线与吡咯单体的添加量比为0.5mmol：1μL； 过硫酸铵与吡咯单体的摩尔比为4~6:1； 硝酸银与硒纳米线的摩尔比为2:1； 硒纳米线与硝酸银反应的温度为40℃，时间为1.5~2.5h； 加入过硫酸铵后，室温搅拌的时间为10~30min。
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