长江存储科技有限责任公司颜丙杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111251755.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备是由颜丙杰设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备，该三维存储器的制作方法包括：在衬底上形成堆叠结构，衬底包括多个块区域以及位于相邻块区域之间的栅线缝隙区；形成位于块区域和栅线缝隙区上且贯穿堆叠结构的多个沟道孔；在栅线缝隙区上形成栅线狭缝，栅线狭缝用以将相邻块区域上的堆叠结构分隔开，从而在块区域上刻蚀形成沟道孔的过程中，能够避免由于块区域上堆叠结构的应力分布不均匀而导致沟道孔形貌一致性差的问题，有利于增大后续制程的工艺窗口，并改善三维存储器中存储单元的电性参数均一性。
本发明授权三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成堆叠结构，所述衬底包括多个块区域以及位于相邻所述块区域之间的栅线缝隙区； 形成位于所述块区域和所述栅线缝隙区上且贯穿所述堆叠结构的多个沟道孔； 在位于所述块区域的所述沟道孔内形成沟道结构，在位于所述栅线缝隙区的所述沟道孔内形成虚拟沟道结构；及 去除位于所述栅线缝隙区的堆叠结构及所述虚拟沟道结构，以在所述栅线缝隙区上形成栅线狭缝，所述栅线狭缝用以将相邻所述块区域上的所述堆叠结构分隔开。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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