英飞凌科技股份有限公司A.比尔纳获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体器件和用于制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111182915.5，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权半导体器件和用于制造半导体器件的方法是由A.比尔纳;H.布雷希设计研发完成，并于2017-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和用于制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：公开了半导体器件和用于制造半导体器件的方法。在实施例中，半导体器件包括：衬底；布置在衬底的前部表面上的基于III族氮化物的晶体管；和导电的穿衬底导孔。导电的穿衬底导孔包括从衬底的前部表面延伸到后部表面的导孔以及从衬底的前部表面延伸到后部表面的导电材料。导孔从衬底的前部表面渐缩到后部表面。
本发明授权半导体器件和用于制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 基于III族氮化物的晶体管，布置在衬底的前部表面上； 导电的穿衬底导孔；和 在衬底的前部表面上的一个或多个台面， 其中，所述导电的穿衬底导孔包括： 导孔，从衬底的前部表面延伸到后部表面；和 导电材料，从半导体衬底的前部表面延伸到后部表面， 其中导孔从衬底的前部表面渐缩到后部表面， 其中基于III族氮化物的晶体管形成在所述一个或多个台面中，并且所述一个或多个台面与衬底上的所述导电的穿衬底导孔的所述导孔横向间隔开， 其中所述导电材料包括填充所述导孔的第一部分的导电插塞，以及装衬所述导孔的第二部分的侧壁并被电耦合到所述导电插塞的导电衬垫层，其中所述导电插塞包括大于所述导电衬垫层的晶粒大小的晶粒大小。
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