旺宏电子股份有限公司邱建岚获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113611709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010498955.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储器元件及其制造方法是由邱建岚;郑俊民设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体存储器结构及其制造方法。在一方面，在第一阶中的介电层的第一叠层上形成介电层的中间叠层。然后，部分或完全刻蚀介电层的中间叠层并在其上沉积接着垫层。响应于平坦化接着垫层以暴露介电层的中间叠层的顶面，在经平坦化的接着垫层上方沉积介电层的第二叠层。通过刻蚀存储器元件的阶梯区中的介电层的第二叠层、介电层的中间叠层和介电层的第一叠层而形成阶梯。所述阶梯位于中央接着垫的一端附近，其中阶梯的台阶在中央接着垫的厚度内形成。
本发明授权存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造存储器元件的方法，其特征在于，包括： 在周边区的介电层的第一叠层、阶梯区以及存储器阵列区的第一阶中的多个存储单元上形成介电层的中间叠层； 刻蚀所述阶梯区和所述存储器阵列区中的所述介电层的中间叠层的一个或多个介电层； 在所述周边区、所述阶梯区和所述存储器阵列区中在经刻蚀的所述介电层的中间叠层上沉积接着垫层； 平坦化所述接着垫层以暴露所述介电层的中间叠层的顶面，由此经平坦化的所述接着垫层形成中央接着垫； 形成介电层的第二叠层；以及 刻蚀穿过所述介电层的第二叠层、所述介电层的中间叠层和所述介电层的第一叠层，以在所述阶梯区中形成阶梯， 其中所述介电层的第二叠层、所述介电层的中间叠层和所述介电层的第一叠层的介电层包括不同组成的交替层。
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