德克萨斯仪器股份有限公司N·达沃德获国家专利权
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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利具有高导热性管芯附接的多芯片封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113574641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080021334.0，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权具有高导热性管芯附接的多芯片封装是由N·达沃德;S·科杜里;B·S·库克设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高导热性管芯附接的多芯片封装在说明书摘要公布了：一种封装的半导体器件200包括具有第一和第二通孔孔径120a、120b的金属衬底120，以及在介电焊盘125a上围绕孔径的金属焊盘125b，该通孔孔径120a、120b具有外环。第一和第二半导体管芯180a、180b在其底面上具有背面金属BSM层186，顶面向上地安装在孔径的顶部部分上。金属管芯附接层187直接位于BSM层和金属衬底的壁之间，该金属衬底的壁限定孔径，以为填充孔径底部部分的第一和第二半导体管芯提供管芯附接。引线126接触金属焊盘，其中引线包括延伸超过金属衬底的远侧部分。键合线133位于金属焊盘和第一和第二半导体管芯上的键合焊盘之间，并且模制化合物为封装的半导体器件提供封装。
本发明授权具有高导热性管芯附接的多芯片封装在权利要求书中公布了：1.一种封装的半导体器件，其包括： 金属衬底，其具有第一孔径通孔和第二孔径通孔，以及在介电焊盘上围绕所述第一孔径通孔和所述第二孔径通孔的多个金属焊盘，每个孔径通孔均具有外环； 第一半导体管芯和第二半导体管芯，其顶面向上地安装在相应孔径通孔的顶部部分上，每个管芯在其底面上具有背面金属层即BSM层； 金属管芯附接层，其直接位于所述BSM层和所述金属衬底的壁之间，所述金属衬底的壁限定相应孔径通孔，以便为填充相应孔径通孔的底部部分的所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯提供管芯附接； 引线，其接触所述多个金属焊盘，其中所述引线包括延伸超过所述金属衬底的远侧部分； 键合线，其位于所述多个金属焊盘与所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯上的键合焊盘之间，以及 模制化合物，其提供封装。
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