台湾积体电路制造股份有限公司陈玟儒获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利多层掩模层及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113488387B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110496596.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权多层掩模层及其形成方法是由陈玟儒;柯忠廷;张雅岚;陈亭纲;黄泰钧;徐志安设计研发完成，并于2021-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本多层掩模层及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及多层掩模层及其形成方法。一种方法包括：在衬底之上形成半导体层；蚀刻半导体层的一部分以形成第一凹部和第二凹部；在半导体层之上形成第一掩模层；在第一掩模层上执行第一热处理，该第一热处理使第一掩模层致密化；蚀刻第一掩模层以使所述第一凹口暴露；在第一凹口中形成第一半导体材料；并且去除第一掩模层。
本发明授权多层掩模层及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成多层掩模层的方法，包括： 在衬底之上形成半导体层； 蚀刻所述半导体层的一部分以形成第一凹部和第二凹部； 在所述半导体层之上形成第一类型掩模层，形成所述第一类型掩模层包括： 在所述半导体层之上形成第一掩模层，其中，所述第一掩模层包含金属氧化物；并且 形成第二掩模层，其中，在形成所述第二掩模层之后，所述第二掩模层位于所述第一掩模层的一部分之上，并且其中，所述第二掩模层包含硅、锗和氮中的一种或多种； 蚀刻所述第一类型掩模层以使所述半导体层暴露； 在所述第一凹部中形成第一半导体材料；并且 去除所述第一类型掩模层。
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