株式会社半导体能源研究所大贯达也获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置以及具有该半导体装置的电器设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113454718B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080014280.5，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权半导体装置以及具有该半导体装置的电器设备是由大贯达也;八洼裕人;斋藤圣矢设计研发完成，并于2020-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及具有该半导体装置的电器设备在说明书摘要公布了：提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括驱动电路及第一晶体管层至第三晶体管层。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第二晶体管层包括具有第二晶体管及第二电容器的第二存储单元。第三晶体管层包括切换电路及放大电路。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管与第二局部位线电连接。切换电路具有选择第一局部位线或第二局部位线与放大电路电连接的功能。第一晶体管层至第三晶体管层设置在硅衬底上。第三晶体管层设置于第一晶体管层与第二晶体管层之间。
本发明授权半导体装置以及具有该半导体装置的电器设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路；以及 具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层至第三晶体管层, 其中，所述第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元， 所述第二晶体管层包括具有第二晶体管及第二电容器的第二存储单元， 所述第三晶体管层包括切换电路及放大电路， 所述切换电路和所述放大电路都包括在沟道形成区域中包含金属氧化物半导体的晶体管， 所述第一晶体管与第一局部位线电连接， 所述第二晶体管与第二局部位线电连接， 所述切换电路构成为选择所述第一局部位线或所述第二局部位线且将被选择的所述局部位线与所述放大电路电连接， 所述第一晶体管层至所述第三晶体管层设置于所述硅衬底上， 并且，所述第三晶体管层设置于所述第一晶体管层与所述第二晶体管层之间。
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