原子能与替代能源委员会维尔日妮·玛菲妮·阿尔瓦罗获国家专利权
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龙图腾网获悉原子能与替代能源委员会申请的专利掺杂半导体层形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112993094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011450481.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权掺杂半导体层形成方法是由维尔日妮·玛菲妮·阿尔瓦罗;休伯特·博诺;朱莉娅·西蒙设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本掺杂半导体层形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种获得掺杂半导体层的方法，包括以下连续步骤：a在由至少有第一元素A1和第二元素A2的半导体合金制成的第一单晶层中，进行所述合金的第一掺杂物元素B和对于所述合金的第二非掺杂物元素C的离子注入，以使第一层的上部非晶化并且保持第一层的下部的晶体结构；以及b对所述第一层的上部进行固相再结晶退火，从而使所述第一层的上部转变为所述合金的掺杂单晶层。
本发明授权掺杂半导体层形成方法在权利要求书中公布了：1.一种获得掺杂半导体层的方法，包括以下连续步骤： a在由至少有第一元素A1和第二元素A2的半导体合金制成的第一单晶层中，进行所述合金的第一掺杂物元素B和所述合金的第二非掺杂物元素C的离子注入，以使所述第一单晶层的上部非晶化并且保持所述第一单晶层的下部的晶体结构；以及 b对所述第一单晶层的上部进行固相再结晶退火，从而使所述第一单晶层的上部转变为所述合金的掺杂单晶层， 其中所述第一掺杂物元素B和所述第二非掺杂物元素C替代所述第一元素A1的原子， 其中，在步骤a期间，进行所述第二元素A2的补充注入，以补偿所述第一掺杂物元素B和所述第二非掺杂物元素C的添加， 其中所述第二非掺杂物元素C与所述第一元素A1是同族的， 其中，当所述第一掺杂物元素B的共价半径大于所述第一元素A1的共价半径时，选择共价半径小于所述第一元素A1的共价半径的所述第二非掺杂物元素C，并且当所述第一掺杂物元素B的共价半径小于所述第一元素A1的共价半径时，选择共价半径大于所述第一元素A1的共价半径的所述第二非掺杂物元素C。
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