半导体元件工业有限责任公司T·C·H·姚获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利具有阶梯状轮廓的降低表面电场和漂移结构的横向DMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011041022.4，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具有阶梯状轮廓的降低表面电场和漂移结构的横向DMOS器件是由T·C·H·姚;R·德索萨;T·D·克利尔设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有阶梯状轮廓的降低表面电场和漂移结构的横向DMOS器件在说明书摘要公布了：本发明题为“具有阶梯状轮廓的降低表面电场和漂移结构的横向DMOS器件”。本发明公开了一种用于制造MOSFET的方法，该方法包括在半导体衬底的表面上形成源极区和漏极区，形成栅极区，形成主体扩散区，形成金属结构，以及形成漂移区，该漂移区包括n型漂移结构，该n型漂移结构具有阶梯状掺杂剂浓度分布，其中掺杂剂浓度沿着从该器件的该漏极区到该源极区的横向方向增加。
本发明授权具有阶梯状轮廓的降低表面电场和漂移结构的横向DMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种横向MOSFET，所述横向MOSFET包括： 衬底； 源极区； 栅极区； 漏极区；和 漂移区，所述漂移区设置在所述栅极区和所述漏极区之间，所述漂移区包括漂移结构，所述漂移结构包括沿着从所述漏极区到所述源极区的横向方向形成的一系列重叠漂移扩散区，所述一系列重叠漂移扩散区具有阶梯状掺杂剂浓度分布，其中掺杂剂浓度沿着从所述漏极区到所述源极区的所述横向方向增加。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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