日月光半导体制造股份有限公司许嘉芸获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利光学封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111477617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010071410.0，技术领域涉及：H10F39/95；该发明授权光学封装结构及其制造方法是由许嘉芸;陈盈仲设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种光学封装结构及其制造方法，所述光学封装结构包含衬底、光学元件、间隔件及封装体。所述衬底具有顶面。所述光学元件邻近于所述衬底的所述顶面，且具有第一高度H1。所述间隔件包围所述光学元件且具有顶面。所述衬底的所述顶面与所述间隔件的所述顶面之间的距离定义为第二高度H2。所述封装体位于所述光学元件与所述间隔件之间，且在邻近于所述光学元件的位置具有第三高度H3。所述封装体覆盖所述光学元件的至少一部分。所述光学元件从所述封装体暴露，且H2H1≥H3。
本发明授权光学封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光学封装结构，其包括： 衬底，其具有顶面； 光学元件，其邻近于所述衬底的所述顶面且具有第一高度H1； 间隔件，其包围所述光学元件且具有顶面，其中所述衬底的所述顶面与所述间隔件的所述顶面之间的距离定义为第二高度H2，所述间隔件位于所述衬底上并附接到所述衬底，且界定隧道；及 封装体，其位于所述光学元件与所述间隔件之间，且在邻近于所述光学元件的位置具有第三高度H3，其中所述封装体覆盖所述光学元件的至少一部分，所述光学元件从所述封装体暴露，且H2H1≥H3。
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