买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110854144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910768375.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体装置及其制造方法是由崔承勋;具滋应;金宽植;金东灿;尹一永;赵万根设计研发完成，并于2019-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置包括：包括像素区和输入输出区的衬底；延伸贯穿像素区中的衬底的像素隔离图案；置于开口内壁上的第一过孔，该开口延伸贯穿输入输出区中的衬底，其中，第一过孔包括第一导电材料；置于像素隔离图案上的防干扰图案，其中，防干扰图案包括第二导电材料；和置于衬底上的第一绝缘间层。第一绝缘间层覆盖第一过孔和防干扰图案，并包括置于开口中的第一部分和置于开口外的第二部分。第一部分包括凹入的上表面，第二部分包括实质上平坦的上表面。该装置还包括置于第一绝缘间层第一部分上的抛光停止图案和置于抛光停止图案上的绝缘图案，其中，绝缘图案填充开口的剩余部分，绝缘图案包括与第一绝缘间层第二部分的上表面实质上共面的上表面。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底，其包括像素区和输入输出区； 像素隔离图案，其延伸贯穿所述像素区中的衬底； 第一过孔，其设置在开口的内壁上，所述开口延伸贯穿所述输入输出区中的衬底，其中，所述第一过孔包括第一导电材料； 防干扰图案，其设置在所述像素隔离图案上，其中，所述防干扰图案包括第二导电材料； 第一绝缘间层，其设置在所述衬底上， 其中，所述第一绝缘间层覆盖所述第一过孔和所述防干扰图案，并且包括设置在所述开口中的第一部分和设置在所述开口外的第二部分， 其中，所述第一部分包括凹入的上表面，并且所述第二部分包括实质上平坦的上表面； 抛光停止图案，其设置在所述第一绝缘间层的所述第一部分上，并且所述抛光停止图案被限制在由所述第一绝缘间层的所述第一部分的所述凹入的上表面限定的沟槽中；以及 绝缘图案，其设置在所述抛光停止图案上，其中，所述绝缘图案填充所述开口的剩余部分，并且所述绝缘图案包括与所述第一绝缘间层的所述第二部分的上表面实质上共面的上表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。