英特尔公司K·艾京获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利形成用于封装互连应用的混合插口结构的方法及由此形成的结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109585416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810996820.9，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权形成用于封装互连应用的混合插口结构的方法及由此形成的结构是由K·艾京;张志超;C·盖伊克;G·考尔设计研发完成，并于2018-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成用于封装互连应用的混合插口结构的方法及由此形成的结构在说明书摘要公布了：描述了形成封装结构的方法结构。那些方法结构可以包括导电插针，包括：悬臂梁部分，与封装基板的第一侧物理耦合；触针部分，其中，所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板；壳体结构，包括壳体腔，其中，所述触针部分至少部分地设置在壳体腔内；及导电材料，设置在壳体侧面上和或壳体腔的表面附近。优化导电材料的放置以满足双倍数据速率DDR和或快速外围部件接口PCIe接口的要求。
本发明授权形成用于封装互连应用的混合插口结构的方法及由此形成的结构在权利要求书中公布了：1.一种微电子封装插口结构，包括： 导电插针，包括： 悬臂梁部分，其与封装基板的第一侧物理耦合；以及 触针部分，其中，所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板； 包括壳体腔的壳体结构，其中，所述触针部分至少部分地设置在所述壳体腔内；以及 第一导电材料，其设置在所述壳体腔的侧壁上， 其中，所述壳体结构包括设置在所述壳体结构的侧壁的至少一部分上的第二导电材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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