四川斯艾普电子科技有限公司王韧获国家专利权
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龙图腾网获悉四川斯艾普电子科技有限公司申请的专利一种高集成度砷化镓S波段接收多功能芯片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223488225U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423061826.7,技术领域涉及:H04B1/16;该实用新型一种高集成度砷化镓S波段接收多功能芯片是由王韧;孙一鸣;汪家兴设计研发完成,并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高集成度砷化镓S波段接收多功能芯片在说明书摘要公布了:本申请提供一种高集成度砷化镓S波段接收多功能芯片,包括:依次连接的低噪声放大电路、数控衰减电路、数控移相电路、增益调节电路、驱动放大电路以及开关电路;芯片沿长度方向划分为第一区域、第二区域及第三区域;低噪声放大电路及数控衰减电路沿芯片的宽度方向设置于第一区域,低噪声放大电路与芯片输入端相连;数控移相电路单独设置于第二区域;增益调节电路、驱动放大电路及开关电路沿芯片的宽度方向设于第三区域,第三区域设有与开关电路相连的芯片输出端。本方案极大地减小了电路的尺寸,降低装配难度,提高电路的可靠性,有益于射频微波组件小型化、轻型化、集成化和低成本化的需求。
本实用新型一种高集成度砷化镓S波段接收多功能芯片在权利要求书中公布了:1.一种高集成度砷化镓S波段接收多功能芯片,其特征在于,包括:依次连接的低噪声放大电路2、数控衰减电路3、数控移相电路4、增益调节电路5、驱动放大电路6以及开关电路7; 芯片沿长度方向划分为第一区域、第二区域及第三区域; 低噪声放大电路2及数控衰减电路3沿芯片的宽度方向设置于第一区域,低噪声放大电路2与芯片输入端1相连; 数控移相电路4单独设置于第二区域; 增益调节电路5、驱动放大电路6及开关电路7沿芯片的宽度方向设于第三区域,第三区域设有与开关电路7相连的芯片输出端8。
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