中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴增远获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利恒流模块及电路结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223488217U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422961823.2，技术领域涉及：H03K19/003；该实用新型恒流模块及电路结构是由吴增远;李树琪;邢娟;蔡勇设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本恒流模块及电路结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种恒流模块及电路结构。该恒流模块包括基于III‑V族化合物的高电子迁移率场效应晶体管和源极反馈电阻；该源极反馈电阻包括该晶体管的内置源电阻或者该晶体管的内置源电阻及连接于源极的外置源电阻。本实用新型中通过在恒流模块内设置源极反馈电阻，可以使其增益下降，稳定性提高，并提升其高频性能，避免发生振铃等现象，且不会使其瞬态响应过慢，同时还可以使其极点频率更可控，减少自激振荡的出现几率，以及，还有助于控制其功率密度，降低其工作温度，延长其寿命，使其膝点电压明显降低，此外还可以降低或消除因晶体管生产工艺误差带来的影响，改善其良率。
本实用新型恒流模块及电路结构在权利要求书中公布了：1.一种恒流模块，其特征在于，包括基于III-V族化合物的高电子迁移率场效应晶体管和源极反馈电阻，所述晶体管的源极与源极反馈电阻串联，所述源极反馈电阻包括所述晶体管的内置源电阻或者所述晶体管的内置源电阻及串联于所述晶体管源极的外置源电阻，所述晶体管的源极用于经过所述源极反馈电阻连接电源的负极或接地，所述晶体管的栅极用于连接电源的负极或接地，所述晶体管的漏极用于连接电源的正极； 所述恒流模块包括半导体层，所述半导体层包括沟道层和设置在沟道层上的势垒层，所述源极、漏极和栅极设置在半导体层的指定区域上，并与所述指定区域中的沟道层及势垒层电性结合形成所述晶体管； 所述外置源电阻与所述晶体管集成设置在一芯片内，所述芯片包括所述半导体层； 或者，所述半导体层设置在一芯片内，所述芯片与外置源电阻分立设置。
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