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华北电力大学(保定)安勃获国家专利权

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龙图腾网获悉华北电力大学(保定)申请的专利磁粉芯磁滞及损耗特性模拟方法、系统、设备及介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120654441B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511126952.2,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权磁粉芯磁滞及损耗特性模拟方法、系统、设备及介质是由安勃;朱伟;赵小军;李瑞航;高圣泽设计研发完成,并于2025-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

磁粉芯磁滞及损耗特性模拟方法、系统、设备及介质在说明书摘要公布了:本申请属于铁磁材料磁滞模型技术领域,公开一种磁粉芯磁滞及损耗特性模拟方法、系统、设备及介质,该方法包括:基于麦克斯韦方程组求解金属球体颗粒内部的涡流场表达式,将涡流场表达式的计算结果乘以磁粉芯总颗粒数,获得颗粒内部总涡流损耗;对磁粉芯表面进行等间距分段,设置每段磁粉芯的高度h和涡流路径传导系数,基于非线性最小二乘法进行参数寻优,结合趋肤效应,确定颗粒间涡流场表达式;基于颗粒内部总涡流损耗以及根据颗粒间涡流场表达式计算得到的金属球体颗粒间损耗,结合Preisach静态磁滞模型,构建磁粉芯磁滞及损耗特性模拟模型。本申请可实现颗粒型磁粉芯材料在高频正弦激励和非正弦激励下的磁滞及损耗特性的模拟。

本发明授权磁粉芯磁滞及损耗特性模拟方法、系统、设备及介质在权利要求书中公布了:1.一种磁粉芯磁滞及损耗特性模拟方法,其特征在于,所述方法包括: 基于麦克斯韦方程组求解金属球体颗粒内部的涡流场表达式,将所述涡流场表达式的计算结果乘以磁粉芯总颗粒数,获得颗粒内部总涡流损耗; 对磁粉芯表面进行等间距分段,设置每段磁粉芯的高度h和涡流路径传导系数k,基于非线性最小二乘法对h和k进行参数寻优,结合趋肤效应,确定颗粒间涡流场表达式; 基于所述颗粒内部总涡流损耗以及根据颗粒间涡流场表达式计算得到的金属球体颗粒间损耗,结合Preisach静态磁滞模型,构建磁粉芯磁滞及损耗特性模拟模型,在高频正弦及多谐波激励下,将所述磁粉芯磁滞及损耗特性模拟模型输出的预测曲线与实测曲线进行比对,确定模拟精度; 通过如下方法确定颗粒间涡流场表达式: 基于设置每段磁粉芯的高度h和磁粉芯的分段数量,对磁粉芯表面进行等间距分段; 令外界交变磁场强度平行于Z轴,建立颗粒间涡流场基本控制方程,表示为: ; 式中,yi代表每段的距离,-h2≤yi≤h2,Ji代表电流密度,Bi代表第i段的磁感应强度,Hi代表外界交变磁场磁场强度的幅值,w代表角频率,t代表时间,代表电导率,Hit代表外界交变磁场强度,e代表自然常数; 基于所述颗粒间涡流场基本控制方程,求解得到总磁场强度的表达式: ; 式中,Hyi,t代表总磁场强度,v代表波矢; 确定趋肤深度与波矢表达式为: ; 式中,δh代表趋肤深度,f代表频率; 对总磁场强度的表达式两边积分得到平均磁场强度Havg: ; 式中,Rhδh代表趋肤效应系数,代表δh有关的初始相位角; 基于平均磁场强度,确定分段截面涡流场基础表达式为: ; 式中,Hcl-outer-i代表颗粒间涡流场,代表输出滞后角,θ代表与输出滞后角相关的相位参数; Rhδh、和θ的表达式为: ; 式中,ch代表双曲余弦函数,sh代表双曲正弦函数; 引入涡流路径传导系数k,对所述分段截面涡流场基础表达式进行修正,得到颗粒间涡流场表达式。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华北电力大学(保定),其通讯地址为:071003 河北省保定市莲池区永华北大街619号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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