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龙图腾网获悉长飞光纤光缆股份有限公司申请的专利一种低衰减非零色散位移单模光纤及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120652604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511161289.X，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权一种低衰减非零色散位移单模光纤及应用是由周航;王瑞春;周新艳;胡超;刘珩;李嘉鹏;罗军;钱新伟;吴俊设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低衰减非零色散位移单模光纤及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低衰减非零色散位移单模光纤及应用，包括第一芯层、第二芯层和第三芯层、下陷包层、辅助包层以及第一外包层，第一芯层半径R1为0.8~1.3μm，相对折射率差△1为‑0.01%~0.05%，第二芯层半径R2为1.5~1.8μm，相对折射率差△2为‑0.12%~0.15%，第三芯层半径R3为2.0~2.5μm，相对折射率差△3为‑0.34%~‑0.30%，下陷包层半径R4为5~6.5μm，相对折射率差Δ4为‑0.51%~‑0.57%。本发明的光纤芯层为三芯层结构，使光纤拉丝时层间应力降低，结合芯层相对折射率差接近0，可减少芯层畸变，降低光纤的衰减。

本发明授权一种低衰减非零色散位移单模光纤及应用在权利要求书中公布了：1.一种低衰减非零色散位移单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于：所述芯层由内向外依次为第一芯层、第二芯层和第三芯层；所述的包层由内向外依次为下陷包层、辅助包层、第一外包层以及第二外包层，所述的第一芯层半径R1为0.8~1.3μm，相对折射率差△1为-0.01%~0.05%，所述的第二芯层半径R2为1.5~1.8μm，相对折射率差△2为-0.12%~0.15%，所述的第三芯层半径R3为2.0~2.5μm，相对折射率差△3为-0.34%~-0.30%，所述的下陷包层半径R4为5~6.5μm，相对折射率差Δ4为-0.51%~-0.57%，所述的辅助包层半径R5为9~11μm，相对折射率差△5为-0.30%~-0.36%，所述的第一外包层半径R6为15~18μm，△6为-0.42%~-0.50%，第二外包层为纯二氧化硅玻璃层，所述的第一芯层含有磷元素掺杂，对应的光纤预制棒为PCVD工艺制备，磷元素掺杂为PCVD工艺沉积芯层时，由载气带入；三个芯层分别用不同浓度的磷元素掺杂，第一芯层磷掺杂浓度为0.05-0.1wt%，第二芯层磷掺杂浓度为0.01-0.05wt%，第三芯层磷掺杂浓度为0.005%-0.01wt%。

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