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龙图腾网获悉中天微(天津)电子科技有限公司申请的专利一种晶体管导通电阻高精度对比方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120652246B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511171354.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种晶体管导通电阻高精度对比方法是由胡志昊;朱文杰;罗锋;赵长辉;胡存刚;唐曦;田睿智设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体管导通电阻高精度对比方法在说明书摘要公布了：本发明属于电力电子及半导体器件技术领域，提出了一种晶体管导通电阻高精度对比方法，包括：通过直流电压调整模块生成并输出能够快速调整数值且具备带负载能力的直流电压；栅极驱动模块基于所述直流电压和脉冲电压生成并输出电压能够快速调整的脉冲信号；通过功率模块向待测晶体管施加脉冲信号，并测量栅极驱动电压下的待测晶体管导通电阻；在微秒至纳秒量级延时内切换栅极驱动电压，基于所述脉冲信号测量切换栅极驱动电压下的待测晶体管导通电阻。本发明方法可以在脉冲电路中测试不同栅极驱动电压下待测晶体管导通电阻，测量延时从传统双脉冲电路的若干分钟缩减至若干纳秒，有效提高了晶体管可靠性评估电路的性能。

本发明授权一种晶体管导通电阻高精度对比方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管导通电阻高精度对比方法，其特征在于，包括： 通过直流电压调整模块生成并输出能够快速调整数值且具备带负载能力的直流电压； 栅极驱动模块基于所述直流电压和脉冲电压生成并输出电压能够快速调整的脉冲信号； 通过功率模块向待测晶体管施加脉冲信号，并基于所述脉冲信号测量栅极驱动电压下的待测晶体管导通电阻； 在微秒至纳秒量级延时内切换栅极驱动电压，基于所述脉冲信号测量切换栅极驱动电压下的待测晶体管导通电阻，实现不同栅极驱动电压下待测晶体管导通电阻高精度对比； 其中，所述直流电压调整模块包括数模转换芯片和运算放大器，所述数模转换芯片与所述运算放大器通过直流电压供电，所述数模转换芯片的输出端与所述运算放大器相连，所述运算放大器的输出端与所述栅极驱动模块相连； 所述栅极驱动模块包括第一CMOS反相器和第二CMOS反相器，所述运算放大器的输出端与所述第一CMOS反相器的电源引脚、所述第二CMOS反相器的电源引脚相连，所述第一CMOS反相器的输入引脚接脉冲电压，所述第一CMOS反相器的输出引脚与所述第二CMOS反相器的输入引脚相连，所述第一CMOS反相器的接地引脚、所述第二CMOS反相器的接地引脚均接地，所述第二CMOS反相器的输出引脚与所述功率模块相连； 所述数模转换芯片生成并输出高速可调的直流电压，通过运算放大器将数模转换芯片输出的直流电信号变成可带负载的直流电压； 所述第一CMOS反相器和第二CMOS反相器通过所述直流电压供电，通过脉冲电压控制栅极驱动模块，直流电压和脉冲电压控制栅极驱动模块输出电压能够快速调整的脉冲信号。

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