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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种区分键合或退火后LN/LT-SiC晶圆中裂纹与划痕的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120651855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511164811.X，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权一种区分键合或退火后LN/LT-SiC晶圆中裂纹与划痕的方法是由王奇;薛成龙;华千慧;柏文文;王含冠;国洪晨;李昕;杨朋辉;朱霄设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种区分键合或退火后LN/LT-SiC晶圆中裂纹与划痕的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种区分键合或退火后LNLT‑SiC晶圆中裂纹与划痕的方法，属于晶圆缺陷检测技术领域。检测设备包括光源、晶圆载台和光信号采集系统，方法包括：超纯水清洗晶圆，放入甩干机再放入氮气柜干燥；用中心波长1450~1550nm、半宽高≤20nm、入射角度30±5°的窄带红外LED光源扫描晶圆；光信号采集系统回收光信号，显示出相比背景光强变大的区域，并将该区域处理为亮线；若亮线宽度＞3μm，边缘模糊，长宽比局部断续，透光率＜120%，则判断为划痕；若亮线宽度＜3μm，边缘平滑，长宽比呈线性连续，透光率＞150%，则判断为裂纹，该方案可高准确率区分LNLT‑SiC晶圆中裂纹与划痕。

本发明授权一种区分键合或退火后LN/LT-SiC晶圆中裂纹与划痕的方法在权利要求书中公布了：1.一种区分键合或退火后LNLT-SiC晶圆中裂纹与划痕的方法，其特征在于，提供一种检测设备，所述检测设备包括设置在暗箱内的光源、晶圆载台和光信号采集系统，所述光源用于照射所述晶圆载台上的待检测LNLT-SiC晶圆，所述光信号采集系统用于回收光源照射晶圆后产生的透射光信号； 所述方法包括如下步骤： S1、将待检测晶圆浸入超纯水清洗去除表面颗粒后，放入甩干机去除表面残留水分，再放入氮气柜干燥，所述甩干机设置转速3000±1000rmin，甩干时间30±10s去除表面残留水分，所述氮气柜中设置氮气流量至5±3Lmin，保持至少2min以消除表面水膜引起散射干扰； S2、将待检测晶圆放入暗箱中的晶圆载台上，选用窄带红外LED光源，设置中心波长为1450~1550nm，光源半宽高不大于20nm； S3、设置光源入射角度为30±5°，选择测试区域和移动路径对晶圆片进行扫描； S4、光信号采集系统回收透射光空间强度分布的光信号，显示出相比背景光强变大的区域，并将该区域处理为亮线； S5、对采集到的空间光强分布进行成像后分析：若所述亮线宽度＞3μm，边缘模糊，长宽比局部断续，透光率＜120%，则判断为划痕；若所述亮线宽度＜3μm，边缘平滑，长宽比呈线性连续，透光率＞150%，则判断为裂纹； 长宽比=裂纹或划痕长度裂纹或划痕最大宽度；其中长度为沿缺陷主轴方向的两端点间距离，最大宽度为垂直于主轴方向的最大宽度值；透光率=缺陷区域光强晶圆无缺陷区域光强。

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