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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种多叠层高耐压高导热光导开关器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790147.5，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权一种多叠层高耐压高导热光导开关器件及制备方法是由陆小力;陈恒亮;马晓华;何云龙;谢敏;王丹;王旭设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多叠层高耐压高导热光导开关器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多叠层高耐压高导热光导开关器件及制备方法，主要解决了现有技术光导开关器件的热失效问题。其包括数个半绝缘衬底1、金属电极2、连接电极3和外连接电极4，金属电极分布在每个半绝缘衬底的上下表面中心；连接电极分别与金属电极和外连接电极连接；在每个半绝缘衬底的上下部设置有与其紧靠的氮化硼片5，形成多层叠层结构；每个氮化硼片的中心设有与连接电极形状大小相同的通孔，连接电极穿过氮化硼片的通孔连接两个相邻的半绝缘衬底上的金属电极。本发明解决了光导开关器件中的热失效问题，减小了器件的级间电容，提高了器件的耐压和频率响应能力，可用于超宽带电磁脉冲发生器及固态紧凑型脉冲电源。

本发明授权一种多叠层高耐压高导热光导开关器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多叠层高耐压高导热光导开关器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1对半绝缘衬底晶圆片进行清洗，并在其正面均匀涂抹光刻胶； S2通过掩模版对涂抹有光刻胶的半绝缘衬底晶圆片正面进行光刻、显影形成数个金属电极形状凹槽区，再在该半绝缘衬底晶圆片正面磁控溅射形成金属层； S3将半绝缘衬底晶圆片正面电极区域外的金属全部剥离去除，形成正面金属电极； S4对制作有正面金属电极的半绝缘衬底晶圆片背面再次进行清洗，并在其清洗后的背面均匀涂抹光刻胶； S5通过掩模版对涂抹有光刻胶的半绝缘衬底晶圆片背面进行光刻、显影形成数个金属电极形状的凹槽区，再在该半绝缘衬底背面磁控溅射形成背面金属层； S6将半绝缘衬底晶圆背面金属电极区域外的金属全部剥离去除，形成背面金属电极； S7将半绝缘衬底晶圆片贴在蓝膜上依次进行划片、裂片，制备出数个单个的光导开关，且每一个光导开关上下表面均有一个金属电极； S8选取数个正方体氮化硼片，并采用激光切割或等离子切割在每个氮化硼片正中心切割出与电极大小相同的通孔； S9选用数个连接电极，先将其放置于对应的数个氮化硼片通孔，再从上到下按氮化硼片、光导开关、氮化硼片、光导开关、氮化硼片顺序依次排列堆叠，形成叠层结构，并将连接电极对准光导开关的金属电极，再采用共晶焊将叠层结构中每一个连接电极与相邻的金属电极连接； S10选用两个外连接电极，分别与叠层结构中第一个氮化硼片通孔中的连接电极和最后一个氮化硼片通孔中的连接电极相连接； S11利用封装模具，对制备好的叠层结构进行灌胶封装，将数个光导开关完全覆盖，并将每个氮化硼片的边缘部分裸露在封装材料之外，完成器件制作。

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