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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于纳米微球阵列的光导开关及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790153.0，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权基于纳米微球阵列的光导开关及制备方法是由陆小力;陈恒亮;马晓华;谢敏;何云龙;郎锦涛;王晔设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于纳米微球阵列的光导开关及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于纳米微球阵列的光导开关及制备方法，主要解决现有光导开关光能利用率低下的问题。其包括半绝缘衬底1，两个金属电极2，两个外连接电极3和纳米微球阵列4，其中，两个金属电极分布在半绝缘衬底表面的两端；两个外连接电极分别位于两个金属电极之上；纳米微球阵列呈长方形分布排列在半绝缘衬底的入光侧表面，每个纳米微球的直径为50nm～250nm，材料为Ag、Cu、Al中的任一种，所有纳米微球之间的间距相等。本发明提高了光导开关的输出功率，降低了光导开关的暗态漏电流，提高了电能利用率，可用于超宽带电磁脉冲发生器及固态紧凑型脉冲电源。

本发明授权基于纳米微球阵列的光导开关及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米微球阵列的光导开关,包括半绝缘衬底1，两个金属电极2和两个外连接电极3，其特征在于： 所述的半绝缘衬底1，其入光侧的表面分布有纳米微球阵列4，以改变光在器件表面的传播路径和电磁场分布，增加光与物质的相互作用长度与几率； 所述纳米微球阵列4为二维排序，呈长方形排列，每相邻两个微球之间的距离相同，以与条状光斑的更好匹配，提高光能利用率； 所述的纳米微球阵列4，其直径为50nm～250nm，材料为Ag、Cu、Al中的任一种； 所述的半绝缘衬底1,其为边长为6mm～14mm，厚度为0.35mm～1mm的正方体，材料采用碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石中的任一种； 所述的两个金属电极2位于半绝缘衬底同侧面或者异侧面，且一个位于衬底的左侧，另一个位于右侧，两者之间的水平间距为1mm～8mm,其与半绝缘衬底为欧姆接触； 每个金属电极均采用NiTiPtAu复合金属层、TiPtAu复合金属层、WTiAu复合金属层，NiTiAu复合金属层或NiAu复合金属层中的一种； 所述两个外连接电极3，分别位于两个金属电极表面，其均采用长度为6mm～10mm,宽度为3mm～7mm，厚度为0.05mm～0.1mm的铜、金或铜金材料。

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