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龙图腾网获悉苏州纳芯微电子股份有限公司;宁波宝芯源功率半导体有限公司申请的专利半导体器件及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411687085.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权半导体器件及半导体器件的制造方法是由王凡;张洪强设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请的实施例公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法。半导体器件包括：半导体层；漏阱区位于半导体层；漏区位于漏阱区；第一源阱区和第二源阱区，分别位于漏区的两侧；第一源区位于第一源阱区；第二源区位于第二源阱区；第一源阱接触区位于第一源区内并延伸到第一源阱区；第二源阱接触区位于第二源区内并延伸到第二源阱区；第一栅单元从第一源阱区向漏区延伸；第二栅单元从第二源阱区向漏区延伸；第一源电极的第一部分与第一源区欧姆接触，第二部分与第一源阱接触区欧姆接触；第二源电极的第一部分与第二源区欧姆接触，第二部分与第二源阱接触区欧姆接触。通过提供一种源电极与源区和源阱接触区同时接触的半导体器件，提升了工作性能。

本发明授权半导体器件及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体层，具有第一掺杂类型； 漏阱区，具有第二掺杂类型，位于所述半导体层内； 漏区，具有第二掺杂类型，位于漏阱区内； 第一源阱区和第二源阱区，具有第一掺杂类型，分别位于漏区的两侧； 第一源区，具有第二掺杂类型，位于第一源阱区内； 第二源区，具有第二掺杂类型，位于第二源阱区内； 第一源阱接触区，具有第一掺杂类型，位于第一源区内并延伸到第一源阱区； 第二源阱接触区，具有第一掺杂类型，位于第二源区内并延伸到第二源阱区； 第一栅单元，位于所述半导体层上，从第一源阱区向漏区延伸，覆盖第一源阱区的一部分以及漏区的一部分； 第二栅单元，位于所述半导体层上，从第二源阱区向漏区延伸，覆盖第二源阱区的一部分以及漏区的一部分； 第一源电极，具有第一部分和第二部分，第一源电极的第一部分位于第一源区的上方与第一源区形成欧姆接触，第一源电极的第二部分位于第一源阱接触区上方与第一源阱接触区形成欧姆接触，所述第一源阱接触区在所述第一源区中沿所述第一源电极的长边方向间隔排列；和 第二源电极，具有第一部分和第二部分，第二源电极的第一部分位于第二源区的上方与第二源区形成欧姆接触，第二源电极的第二部分位于第二源阱接触区上方与第二源阱接触区形成欧姆接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州纳芯微电子股份有限公司;宁波宝芯源功率半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区东荡田巷9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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