买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种提升SiC MOSFET沟道迁移率及栅介质层可靠性的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411671044.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种提升SiC MOSFET沟道迁移率及栅介质层可靠性的工艺方法是由胡子健;盛况;任娜;韦丽明设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升SiC MOSFET沟道迁移率及栅介质层可靠性的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提升SiCMOSFET沟道迁移率及栅介质层可靠性的工艺方法，包括采用离子注入在外延层上形成沟道层；采用牺牲氧化的方式对SiC外延层进行表面处理；采用低压化学气相沉积工艺在SiC表面形成SiO2作为栅介质层；对栅介质层进行NO后沉积退火工艺。本发明形成的SiCSiO2的界面粗糙度降低，避免了传统热氧化中产生碳团簇与碳颗粒的问题，降低了界面态密度，从而增强了沟道载流子迁移率；此外，采用分步低压化学气相沉积工艺，在两段或多段沉积工艺间隙进行栅介质层致密，充分分解沉积中前驱体的残留物，释放栅介质层应力，降低了栅介质层的漏电水平，增强了栅介质层的可靠性，提升器件良率。

本发明授权一种提升SiC MOSFET沟道迁移率及栅介质层可靠性的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种提高SiCMOSFET沟道迁移率及栅介质层可靠性的工艺方法，其特征在于，包括： 步骤S0、准备碳化硅衬底； 步骤S1、在具有第一类型掺杂的碳化硅衬底上形成外延层，外延层的掺杂类型为第一掺杂类型或第二掺杂类型； 步骤S2、在具有第一掺杂类型的碳化硅外延上，通过离子注入形成具有第二掺杂类型的基区，或在具有第二掺杂类型的碳化硅外延上通过离子注入形成具有第一掺杂类型的基区，或者直接采用外延层作为基区； 步骤S3、在所述基区中，通过离子注入形成MOSFET的源极接触区与漏极接触区；当基区具有第一掺杂类型时，离子注入形成的源极接触区与漏极接触区具有第二掺杂类型；当基区具有第二掺杂类型时，离子注入形成的源极接触区与漏极接触区具有第一掺杂类型； 步骤S4、在所述基区中，通过离子注入形成体区，所述体区与基区具有相同的掺杂类型，所述体区的掺杂浓度在1×1019~1×1021cm-3之间； 步骤S5、沟道区位于源极接触区与漏极接触区之间，在通过离子注入形成所述源极接触区与漏极接触区的同时，在两接触区之间自然的形成所述沟道区； 步骤S6、通过牺牲氧化的方式，对碳化硅晶圆表面进行处理，减少自然氧化物的形成同时降低碳化硅晶圆表面的粗糙度； 步骤S7、通过低压化学气相沉积，采用正硅酸四乙酯作为沉积前驱体，在碳化硅晶圆表面上形成SiO2作为栅介质层； 步骤S8、对所述栅介质层进行沉积后的NO或N2或N2O或NH3气氛退火； 步骤S9、采用低压化学气相沉积在所述栅介质层上沉积多晶硅并通过POCL3对所述多晶硅进行沉积后退火形成栅极电极； 步骤S10、采用低压化学气相沉积，沉积形成栅极与源极以及漏极的绝缘介质层； 步骤S11、在源极接触区、漏极接触区以及体区沉积或溅射金属，并通过退火形成欧姆接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区浙大路38号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。