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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于倾斜侧壁刻蚀的端面耦合器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119575550B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411733607.0，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种基于倾斜侧壁刻蚀的端面耦合器及其制造方法是由王逸飞;戴庭舸;王曰海;杨建义设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于倾斜侧壁刻蚀的端面耦合器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于倾斜侧壁刻蚀的端面耦合器及其制造方法，该端面耦合器包括第一层波导芯层和第二层波导芯层，第一层波导芯层包括第一波导和第二波导，第一波导为长方体结构，第二波导沿着光信号传输方向上的尺寸均逐渐减小，第二层波导芯层包括具有第一凹槽的第三波导、具有第二凹槽的第四波导和具有第三凹槽和第四凹槽的第五波导，第三波导和第一凹槽均为四棱锥形，第四波导和第二凹槽均为三棱锥形，第一层波导芯层采用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀形成，第二层波导芯层利用电感耦合等离子体刻蚀工艺和等离子体增强化学气相沉积方式形成；优点是在具有高耦合效率的同时，对制造工艺要求较低，能够在高耦合效率和低制造成本之间平衡。

本发明授权一种基于倾斜侧壁刻蚀的端面耦合器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于倾斜侧壁刻蚀的端面耦合器，其特征在于包括第一层波导芯层和第二层波导芯层，所述的第二层波导芯层位于所述的第一层波导芯层的上方，所述的第一层波导芯层包括第一波导和第二波导，所述的第一波导为长方体结构，所述的第二波导为锥形结构，所述的第二波导沿着光信号传输方向上的尺寸均逐渐减小，所述的第二层波导芯层包括具有向下凹陷的第一凹槽的第三波导、具有向下凹陷的第二凹槽的第四波导和具有第三凹槽和第四凹槽的第五波导，所述的第三凹槽上下贯穿所述的第五波导，所述的第三波导和所述的第一凹槽均为四棱锥形，所述的第四波导为三棱台形，所述的第二凹槽为三棱锥形，所述的第五波导为长方体结构，所述的第三凹槽为四棱锥形，所述的第四凹槽为三棱台形，所述的第一凹槽与所述的第二凹槽连通，所述的第三凹槽与所述的第四凹槽连通，所述的第三波导和所述的第四波导沿着光信号传输方向上的尺寸均逐渐减小，所述的第一波导用于与外部光纤耦合，将外部光纤传输的光信号接入所述的端面耦合器，所述的第三波导一方面用于扩展所述的第一波导，降低所述的第一波导与外部光纤的模式失配，另一方面用于与所述的第四波导的配合，逐渐减小对在所述的端面耦合器中传输的光信号的约束，使光信号在进入所述的端面耦合器后的传播过程中，光场逐渐分布在所述的第一波导，减少光信号在所述的端面耦合器中的传输损耗，所述的第二波导用于实现所述的第一波导与外部单模波导之间的模斑转换，使在所述的第一波导中传输的光信号能够通过其传输至外部单模波导，所述的第一凹槽、所述的第二凹槽、所述的第三凹槽和所述的第四凹槽用于防止所述的第五波导与所述的第一波导和所述的第三波导产生耦合，避免光信号传输至所述的第五波导，减少光信号在所述的端面耦合器中的传输损耗；所述的第一层波导芯层通过对一矩形波导采用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀形成，所述的第二层波导芯层通过在所述的第一层波导芯层上利用等离子体增强化学气相沉积方式沉积上包层后，先利用电感耦合等离子体InductivelyCoupledPlasma，ICP刻蚀工艺倾斜刻蚀上包层，在上包层中形成与所述的第三波导和所述的第四波导构成的结构形状匹配的凹槽，然后利用等离子体增强化学气相沉积方式在凹槽内沉积形成具有第一凹槽的第三波导和具有第二凹槽的第四波导以及在包层上沉积形成具有第三凹槽和第四凹槽的第五波导而形成。

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