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龙图腾网获悉宜昌测试技术研究所申请的专利一种双共振相干布居囚禁磁强计及实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119556207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411743048.1，技术领域涉及：G01R33/032；该发明授权一种双共振相干布居囚禁磁强计及实现方法是由张樊;陈帅;张宇;李享;裴华刚;李胜男设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双共振相干布居囚禁磁强计及实现方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种双共振相干布居囚禁磁强计及实现方法，可以有效抑制激光的光学噪声，提升灵敏度，增加量程的下限范围。包括：第一微波源，第二微波源，第一电流源，第二电流源，第一Bias‑T，第二Bias‑T，第一VCSEL激光器，第二VCSEL激光器，第一准直透镜，第二准直透，第一PBS，λ2波片，87Rb原子气室，第二PBS，第一光电二极管，第二光电二极管，差分放大器，双路锁相放大器。所述第一VCSEL激光器、第二VCSEL激光器、第一准直透镜、第二准直透镜、第一PBS、λ2波片位于87Rb原子气室的左侧，其中第一VCSEL激光器、第一准直透镜位于第一PBS左侧，第二VCSEL激光器第二准直透镜位于第一PBS的下方，且第二VCSEL激光器输出的激光经过第一PBS的反射后往右侧原子气室方向传播。

本发明授权一种双共振相干布居囚禁磁强计及实现方法在权利要求书中公布了：1.一种双共振相干布居囚禁磁强计，其特征在于，包括：第一微波源1，第二微波源2，第一电流源3，第二电流源4，第一Bias-T5，第二Bias-T6，第一VCSEL激光器7，第二VCSEL激光器8，第一准直透镜9，第二准直透,10，第一PBS11，λ2波片12，87Rb原子气室13，第二PBS14，第一光电二极管15，第二光电二极管16，差分放大器17，双路锁相放大器18；其中，所述第一VCSEL激光器7、第二VCSEL激光器8、第一准直透镜9、第二准直透镜10、第一PBS11、λ2波片12位于87Rb原子气室13的左侧，其中第一VCSEL激光器7、第一准直透镜9位于第一PBS11左侧，第二VCSEL激光器8第二准直透镜10位于第一PBS11的下方，且第二VCSEL激光器8输出的激光经过第一PBS11的反射后往右侧原子气室方向传播； 所述第一VCSEL激光器7和第二VCSEL激光器8输出的激光为线偏振激光，调整第一VCSEL激光器7输出的线偏振激光的偏振方向，使其直接透射通过第一PBS11，调整第二VCSEL激光器8输出的线偏振激光的偏振方向，使其反射通过第一PBS11，且保证两束激光经过87Rb原子气室13时不重合； 所述第一微波源1和第一微波源2的输出微波频率从mF=0基态两能级的跃迁频率开始，分别向线性增加和线性减小两个相反的方向扫描和，用于分别获取到各自的CPT共振信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宜昌测试技术研究所，其通讯地址为：443003 湖北省宜昌市西陵区胜利三路58号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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