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鼎道智芯(上海)半导体有限公司饶佳佳获国家专利权

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龙图腾网获悉鼎道智芯(上海)半导体有限公司申请的专利一种封装基板以及芯片封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119542306B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311119679.1,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权一种封装基板以及芯片封装结构是由饶佳佳;杨晓瑞;林威志;洪健圣设计研发完成,并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

一种封装基板以及芯片封装结构在说明书摘要公布了:本申请技术方案公开了一种封装基板以及芯片封装结构,接地层包括第一区域金属层和第二区域金属层,第二区域金属层位于第一区域金属层的内部镂空处且与第一区域金属层之间具有绝缘间隙;封装基板还包括多个纵向电连接不同导电层的导电结构;导电结构包括:用于接地的第一导电结构;用于连接电源的第二导电结构;其中,在接地层,第一导电结构均与第一区域金属层电连接,第二区域金属层与延伸至接地层的多个第二导电结构电连接;第二区域金属层所连接的多个第二导电结构中,至少两个第二导电结构之间的间距大于第二导电结构的横向尺寸。本申请技术方案封装基板能够提高芯片封装结构的电源完整性。

本发明授权一种封装基板以及芯片封装结构在权利要求书中公布了:1.一种封装基板,其特征在于,所述封装基板包括层叠的若干导电层,相邻导电层之间具有绝缘层,其中,所述若干导电层中至少包括一层作为接地层,所述接地层包括第一区域金属层和第二区域金属层,所述第二区域金属层位于所述第一区域金属层的内部镂空处且与所述第一区域金属层之间具有绝缘间隙; 所述封装基板还包括多个纵向电连接不同所述导电层的导电结构;所述导电结构包括:用于接地的第一导电结构;用于连接电源的第二导电结构; 其中,在所述接地层,所述第一导电结构均与所述第一区域金属层电连接,所述第二区域金属层与延伸至所述接地层的多个所述第二导电结构电连接;所述第二区域金属层所连接的多个所述第二导电结构中,至少两个所述第二导电结构之间的间距大于所述第二导电结构的横向尺寸; 其中,所述若干导电层在层叠方向上依次为第1导电层至第N导电层,N为大于2的正整数;所述第N导电层包括电容焊接区域,用于焊接电容;至少所述第N导电层为所述接地层; 所述第N导电层包括位于电容焊接区域内的第一电容焊盘和第二电容焊盘,所述第一电容焊盘用于连接所述电容的正极引脚,所述第二电容焊盘用于连接所述电容的负极引脚;在距离所述电容焊接区域的预设范围内,具有所述第二导电结构,所述第二区域金属层连接所述第二导电结构和所述第一电容焊盘。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人鼎道智芯(上海)半导体有限公司,其通讯地址为:201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区松涛路696号1幢601室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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