北京大学吴恒获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利存储器的制备方法、存储器、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403125B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411522195.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器的制备方法、存储器、器件及设备是由吴恒;刘煜;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器的制备方法、存储器、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上沿第一方向依次堆叠形成第一材料层和第二材料层，第一材料层的掺杂浓度和第二材料层的掺杂浓度不同；在WL区域刻蚀第一材料层和第二材料层，以形成半导体结构和BL结构；在WL区域内的BL结构的两侧沉积绝缘介质，以形成介质层；倒片并去除衬底，以暴露半导体结构；在BL区域内刻蚀半导体结构，以形成有源结构；基于有源结构，形成存储器，BL结构作为存储器中的晶体管的源漏结构。本申请通过在WL区域内的BL结构的两侧形成介质层，可以降低BL结构的寄生电容，有利于器件性能的优化。
本发明授权存储器的制备方法、存储器、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上沿第一方向依次堆叠形成第一材料层和第二材料层，所述第一材料层的掺杂浓度和所述第二材料层的掺杂浓度不同； 在字线WL区域刻蚀所述第一材料层和所述第二材料层，以形成半导体结构和位线BL结构； 在所述WL区域内的所述半导体结构的两侧形成隔离结构； 在所述隔离结构上沉积绝缘介质，以形成介质层，所述介质层的高度与所述BL结构的高度相同； 倒片并去除所述衬底，以暴露所述半导体结构； 在BL区域内刻蚀所述半导体结构，以形成有源结构； 基于所述有源结构，形成存储器，所述BL结构作为所述存储器中的晶体管的源漏结构。
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