芯越微电子材料(嘉兴)有限公司尹淞获国家专利权
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龙图腾网获悉芯越微电子材料(嘉兴)有限公司申请的专利一种能够保护GaAs和PI衬底的光刻胶剥离液及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119376200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411996361.6，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权一种能够保护GaAs和PI衬底的光刻胶剥离液及其应用是由尹淞;刘江华;蔡宇豪;刘蓓媛设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种能够保护GaAs和PI衬底的光刻胶剥离液及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造工艺中蚀刻后光刻残留物的剥离技术领域，尤其涉及一种能够保护GaAs和PI衬底的光刻胶剥离液及其应用。本发明提供的光刻胶剥离液成分包括环状有机胺、醇醚有机溶剂、二元醇和唑类缓蚀剂；所述环状有机胺化学式如式I所示，式I中，R1和R2各自独立地为‑H、‑CH3、‑NH2、‑C6H5、‑CH3C6H5、‑CH3CH2OH或‑CH3CH2NH2，R3为‑H或‑CH3；所述二元醇为含有碳原子数2~6的脂肪族二元醇；所述光刻胶剥离液不含水、非质子极性溶剂、氧化剂、卤素化合物、羟胺、季铵碱和无机碱中的任意一种。本发明提供的光刻胶剥离液不腐蚀GaAs和PI衬底，且具有优异的溶胶能力。
本发明授权一种能够保护GaAs和PI衬底的光刻胶剥离液及其应用在权利要求书中公布了：1.一种能够保护GaAs和PI衬底的光刻胶剥离液，其特征在于，成分为环状有机胺、醇醚有机溶剂、二元醇和唑类缓蚀剂； 所述环状有机胺的化学式如式I所示： 式I； 式I中，R1和R2各自独立地为-H、-CH3、-NH2、-C6H5、-CH3C6H5、-CH3CH2OH或-CH3CH2NH2，R3为-H或-CH3； 所述二元醇为1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、乙二醇、2,3-丁二醇、新戊二醇、异己二醇、1,6-己二醇、1,2-已二醇、1,2-己二醇和2-丁炔-1,4-二醇中的一种或多种； 所述二元醇在光刻胶剥离液中的含量为31~40wt%； 所述光刻胶剥离液不含水、非质子极性溶剂、氧化剂、卤素化合物、羟胺、季铵碱和无机碱中的任意一种。
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