武汉敏声新技术有限公司韩金钊获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉敏声新技术有限公司申请的专利一种谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119298867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411426075.6，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种谐振器及其制备方法是由韩金钊;蔡耀;代金豪;孙博文;孙成亮;国世上设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，谐振器包括衬底以及依次层叠至衬底的第一电极层、第一压电层和第二电极层，第一电极层、第一压电层和第二电极层沿层叠方向形成第一交叠区域，在第一压电层上设置有位于第一交叠区域外的电容堆叠层，在第二电极层上方设置有钝化层，钝化层延伸于电容堆叠层上方。这样能够在谐振器内部集成电容，实现片上直接集成电容，从而提高谐振器、滤波器的性能。并且钝化层和电容堆叠层相互独立，因此，电容堆叠层内部介质层的材质厚度既可以根据性能进行优选，也可以根据需求灵活多变。
本发明授权一种谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种谐振器，其特征在于，包括衬底以及依次层叠至所述衬底的第一电极层、第一压电层和第二电极层，所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层沿层叠方向形成第一交叠区域，在所述第一压电层上设置有位于所述第一交叠区域外的电容堆叠层，在所述第二电极层上方设置有钝化层，所述钝化层延伸于所述电容堆叠层上方，所述电容堆叠层包括依次层叠至所述第一压电层上的下电极、介质层和上电极，所述钝化层和所述电容堆叠层相互独立。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉敏声新技术有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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