长鑫存储技术有限公司刘曦光获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119275176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310809418.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由刘曦光设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有至少一个沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部以及所述衬底表面上形成第一阻挡子层；所述第一阻挡子层包括第一晶向在全部晶向中的占比大于第一预设值的阻挡材料；在所述沟槽的侧壁和底部以及所述衬底表面的所述第一阻挡子层上形成第二阻挡子层；所述第二阻挡子层包括第二晶向在全部晶向中的占比大于第二预设值的阻挡材料；其中，所述第一晶向和所述第二晶向不同。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供衬底，所述衬底中形成有至少一个沟槽； 在所述沟槽的侧壁和底部以及所述衬底表面上利用具有第一气体流量的第一反应物氨气NH3和具有第二气体流量的第二反应物四氯化钛TiCl4进行反应，以形成第一阻挡子层；所述第一阻挡子层包括第一晶向在全部晶向中的占比大于第一预设值的阻挡材料，形成所述第一阻挡子层具有第一反应时长，所述第一晶向为200晶向，所述第一气体流量和所述第二气体流量之间的比值小于30； 在所述沟槽的侧壁和底部以及所述衬底表面的所述第一阻挡子层上利用具有第三气体流量的第一反应物NH3和具有第四气体流量的第二反应物TiCl4进行反应，以形成第二阻挡子层；所述第二阻挡子层包括第二晶向在全部晶向中的占比大于第二预设值的阻挡材料；其中，形成所述第二阻挡子层具有第二反应时长，所述第一反应时长和所述第二反应时长之间的比值大于10，所述第二晶向为111晶向，所述第三气体流量和所述第四气体流量之间的比值大于30。
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