江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230674B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411355489.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED是由胡加辉;刘春杨;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其制备方法、LED在说明书摘要公布了：本发明涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层包括依次交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子垒层包括至少一组依次层叠的第一GaN层、AlN层、InN层和第二GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升波长一致性，减小波长的蓝移。
本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层； 所述多量子阱层包括依次交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子垒层包括至少一组依次层叠的第一GaN层、AlN层、InN层和第二GaN层；由于Ga原子、Al原子和In原子直径不同，Al原子最小，Ga原子最大，因此在GaNAlNInNGaN叠层可以填补空隙以及改善缺陷延伸方向；AlN的势垒较高，InN的势垒较低，GaNAlNInNGaN的叠层可以形成阶梯式势垒。
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