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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利MOSFET栅氧化层辐照位移损伤及影响的模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119229986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411256917.8，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权MOSFET栅氧化层辐照位移损伤及影响的模拟方法是由陈华;乔彬;周益春;廖敏;廖佳佳设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET栅氧化层辐照位移损伤及影响的模拟方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOSFET栅氧化层辐照位移损伤及影响的模拟方法，主要解决现有技术辐照缺陷演化参数描述不全面，模拟结果不准确的问题。包括：1通过分子动力学模拟，获取辐照后栅氧化层中产生的陷阱类型及数量；2利用第一性原理软件构造栅氧化层超胞并引入陷阱类型；3对包含缺陷的超胞运用第一性原理获取陷阱的能级位置并计算俘获截面；4将陷阱的类型、数量、能级位置以及俘获截面输入半导体器件仿真软件进行性能模拟；5获得辐照后栅氧化层中陷阱电荷对器件电学性能的影响。本发明能够全面、准确地描述辐照位移损伤对栅氧化层的影响，明确其中缺陷对器件电学性能产生的影响，为进一步指导优化半导体器件性能提供可靠依据。

本发明授权MOSFET栅氧化层辐照位移损伤及影响的模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET栅氧化层辐照位移损伤及影响的模拟方法，其特征在于，包括如下步骤： 1通过分子动力学模拟，获取辐照后栅氧化层中产生的陷阱类型及数量： 1.1构建栅氧化层超胞，并采用势函数表征超胞中原子间的相互作用力； 1.2使用等温等压NPT系综作为初始体系，将体系温度平衡至常温T′，距离晶胞边界范围设置为恒温层，通过连接Nose-Hoova恒温器保持恒温层温度为T′，并将内部区域设置为模拟区，模拟过程采用微正则NVE系综； 1.3粒子沿晶胞表面法向方向且从晶胞的正上方中心入射； 1.4从体系中随机选取一个原子作为初级冲撞原子，当初级冲撞原子获取的动能大于其位移阈能时，离位生成缺陷； 1.5得到辐照后栅氧化层中产生的陷阱类型及数量； 2将陷阱类型输入到第一性原理软件中，获取陷阱的能级位置及俘获截面： 2.1利用第一性原理软件构造一个原子个数不超过300且结构优化后的栅氧化层超胞，并引入步骤1得到的任意一种或多种陷阱类型，获得包含缺陷的超胞； 2.2通过第一性原理软件对包含缺陷超胞进行处理，得到缺陷的能级位置； 2.3计算俘获截面σ： 其中，C表示缺陷的俘获系数，为载流子速率； 3将陷阱的类型、数量、能级位置以及俘获截面作为输入参数，通过半导体器件仿真软件进行半导体器件的性能模拟，获得辐照后栅氧化层中陷阱电荷对器件电学性能的影响。

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